Эффективность GaN-светодиодов и энергетическая релаксация носителей в квантовых ямах InGaN/GaN
Эффективность GaN-светодиодов и энергетическая релаксация носителей в квантовых ямах InGaN/GaN
Н.И. Бочкарева, В.В. Вороненков, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер
Обнаружена прямая корреляция между уменьшением эффективности и изменениями высокоэнергетичного крыла спектра излучения квантовых ям InGaN/GaN с ростом плотности тока. Предложена динамическая модель энергетической релаксации инжектированных носителей в экспоненциальных хвостах плотности состояний квантовых ям InGaN/GaN. При низких уровнях инжекции носители, захваченные в мелкие состояний хвостов быстро перескакивают прямо в нижележащие по энергии состояния хвостов. Это приводит к сильной локализации носителей и высокоэнергетичной отсечке спектра излучения. При высоком уровне инжекции прыжковая термализация прямыми перескоками в глубокие состояния подавляется из-за частичного заполнения состояний хвоста. В результате отношение плотности подвижных и локализованных носителей увеличивается с током. Эффективность излучения уменьшается из-за увеличения латеральной диффузионной длины, захвата носителей дефектами и туннельно-рекомбинационной утечке через дефекты. Одновременно высокоэнергетичная отсечка спектра сдвигается к более высокой энергии. Таким образом, величина падения эффективности связана с относительным уширением спектра излучения.
Показать АннотациюИспользование частотных зависимостей емкости и проводимости для характеризации процессов релаксации заряда в квантовых ямах в светоизлучающих структурах InGaN/GaN
Использование частотных зависимостей емкости и проводимости для характеризации процессов релаксации заряда в квантовых ямах в светоизлучающих структурах InGaN/GaN
Солтанович О.А. Якимов Е.Б.
Исследованы частотные зависимости емкости и проводимости светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами в широком диапазоне температур и напряжений смещения. Обнаружено, что релаксация заряда в квантовых ямах хорошо описывается с помощью двух эмиссионных процессов с разной зависимостью скорости эмиссии от температуры. Показано, что в типичных светоизлучающих структурах на основе InGaN/GaN одна или несколько квантовых ям могут оставаться заполненными даже при относительно больших напряжениях смещения, приложенных к структуре, и давать вклад в измеряемую емкость. Это позволяет объяснить наблюдаемое на таких структурах влияние температуры и частоты измерений на эффективные профили концентрации, получаемые из вольт-фарадных характеристик.
Показать АннотациюСлои GaN с пониженной плотностью дислокаций для НЕМТ транзисторов, выращенные NH3-MBE с использованием высокотемпературных буферных слоев AlN/AlGaN
Слои GaN с пониженной плотностью дислокаций для НЕМТ транзисторов, выращенные NH3-MBE с использованием высокотемпературных буферных слоев AlN/AlGaN
С.И. Петров, Алексеев А.Н., Красовицкий Д.М., Чалый В.П., Мамаев В.В., Сидоров В.Г.
Использование многослойного буферного слоя, включающего слой AlN, выращенный при температуре более 1150°С, позволило понизить плотность дислокаций в слое GaN на 1,5–2 порядка до значений 9.108–1.109 см–2 по сравнению с аналогичным слоем GaN, выращенным на тонком низкотемпературном зародышевом слое AlN. Уменьшение плотности дислокаций привело к увеличению подвижности электронов в слоях GaN до 600–650 см2/В.с, что согласуется с данными расчетов и свидетельствует о высоком кристаллическом совершенстве полученных слоев.
Показать АннотациюГравитационное излучение заряда в электромагнитном поле
Гравитационное излучение заряда в электромагнитном поле
Ю.В. Грац
Показано, что в картине Фарри матричный элемент излучения гравитона электроном в поле произвольной плоской электромагнитной волны пропорционален матричному элементу излучения фотона. Коэффициент пропорциональности является чисто классической величиной и зависит только от направления распространения гравитона. Обсуждается возможность перенесения полученных результатов на случай произвольного внешнего электромагнитного поля.
Показать АннотациюФемтосекундная динамика поверхностых плазмонов в одномерных плазмонных кристаллах: частотно-разрешающее оптическое стробирование
Фемтосекундная динамика поверхностых плазмонов в одномерных плазмонных кристаллах: частотно-разрешающее оптическое стробирование
В.В. Зубюк, А.И. Мусорин, П.П. Вабищевич, М.Р. Щербаков, М.И. Шарипова, А.С. Шорохов, Т.В. Долгова, А.А. Федянин
Продемонстрированы изменения временного профиля электромагнитного поля фемтосе- кундного импульса при резонансном возбуждении плазмон-поляритонов (ПП) в окрестно- сти краев запрещенной зоны плазмонного кристалла с использованием методики частотно- разрешающего оптического стробирования (Frequency-resolved optical gating — FROG). Пока- зано, что вблизи краёв запрещенной зоны, где время жизни плазмон-поляритонов наиболь- шее, уширение профиля импульса при отражении от образца излучения с p-поляризацией на 20% больше, чем в случае отражения с s-поляризацией. Из-за резонансного возбуждения ПП в плазмонном кристалле изменяется форма спектра отраженного импульса — происходит уменьшение интенсивности вблизи длин волн, соответствующих краям запрещенной зоны.
Показать АннотациюГибридные состояния таммовских и поверхностных плазмон-поляритонов в одномерных фотонных кристаллах
Гибридные состояния таммовских и поверхностных плазмон-поляритонов в одномерных фотонных кристаллах
В.О. Бессонов, И.В. Соболева, Б.И. Афиногенов, Д.Н. Гулькин, Д.А. Шилкин, А.Т. Ле, А.А. Федянин
Экспериментально обнаружено возникновение гибридного состояния таммовского и поверхностного плазмон-поляритонов в системе одномерный фотонный кристалл/полупрозрачная металлическая пленка. Гибридное состояние возбуждается для TM-поляризованного излучения при условиях полного внутреннего отражения. Методом частотно-угловой спектроскопии в геометрии Кречманна исследованы спектральные и угловые положения резонансов гибридного состояния. Показано, что взаимодействие таммовского и поверхностного плазмон-поляритона приводит к расталкиванию их дисперсионных кривых, величина которого зависит от толщины металлической пленки. Экспериментальные результаты находятся в полном согласии с результатами численного моделирования.
Показать АннотациюВлияние нагрева поверхности частицы на фотофорез крупной аэрозольной частицы при больших перепадах температуры в ее окрестности
Влияние нагрева поверхности частицы на фотофорез крупной аэрозольной частицы при больших перепадах температуры в ее окрестности
А.В. Лиманская
В приближении Стокса проведено теоретическое описание фотофоретического движения крупной твердой нагретой аэрозольной частицы сферической формы. При рассмотрении движения предполагалось, что средняя температура поверхности частицы может значительно отличается от температуры окружающей ее газообразной среды. В процессе решения газодинамических уравнений получены аналитические выражения для силы и скорости фотофореза с учетом зависимостей плотности, вязкости и теплопроводности газообразной среды от температуры.
Показать АннотациюЭлектромагнитное возбуждение продольных и сдвиговых ультразвуковых колебаний тонкими пленками железо-иттриевого граната
Электромагнитное возбуждение продольных и сдвиговых ультразвуковых колебаний тонкими пленками железо-иттриевого граната
И.Е. Господчикова, В.М. Сарнацкий
Работа посвящена исследованию бесконтактного возбуждения ультразвуковых колебаний тонкими пленками железо-иттриевого граната (ЖИГ) на подложке галлий-гадолиниевого граната (ГГГ) при приложении суперпозиции постоянного подмагничивающего и переменного внешних магнитных полей. Исследовано влияние на эффективность возбуждения ультразвука геометрических размеров пленки (толщины), интенсивностей и геометрии внешних магнитных полей. В ходе работы наблюдались не находящие объяснения в рамках существующих теорий размерно-резонансные эффекты в зависимостях эффективности возбуждения ультразвука от параметров пленок ЖИГ и внешних магнитных полей. Было выдвинуто предположение об обусловленности явления участием в возбуждении ультразвука колебаний доменных границ.
Показать АннотациюУправляемое электрическим полем движение магнитных доменных границ как принцип работы устройств спинтроники
Управляемое электрическим полем движение магнитных доменных границ как принцип работы устройств спинтроники
А.Д. Сизов, А.М. Монахов, А.М. Власов, Д.А. Сечин, Г.А. Мешков
В настоящее время возрос интерес к материалам, в которых проявляется взаимосвязь магнитных и электрических свойств. Данная работа посвящена изучению одного из проявлений магнитоэлектрического взаимодействия: смещения магнитных доменных границ под действием электрического поля. Данный эффект может найти практические применения в новых видах запоминающих магнитных устройств, в основе работы которых лежит управляемое перемещение доменных границ.
Показать АннотациюСверхбыстрая временная динамика генерации третьей оптической гармоники в сетчатых метаматериалах
Сверхбыстрая временная динамика генерации третьей оптической гармоники в сетчатых метаматериалах
А.С. Шорохов, К.И. Охлопков, Д.В. Чичинадзе, М.Р. Щербаков, А.А. Федянин
С помощью методики <<накачка-зонд>> исследована временная динамика
генерации третьей оптической гармоники в сетчатых метаматериалах
типа <