Слои GaN с пониженной плотностью дислокаций для НЕМТ транзисторов, выращенные NH3-MBE с использованием высокотемпературных буферных слоев AlN/AlGaN

Использование многослойного буферного слоя, включающего слой AlN, выращенный при температуре более 1150°С, позволило понизить плотность дислокаций в слое GaN на 1,5–2 порядка до значений 9.108–1.109 см–2 по сравнению с аналогичным слоем GaN, выращенным на тонком низкотемпературном зародышевом слое AlN. Уменьшение плотности дислокаций привело к увеличению подвижности электронов в слоях GaN до 600–650 см2/В.с, что согласуется с данными расчетов и свидетельствует о высоком кристаллическом совершенстве полученных слоев.