Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Использование частотных зависимостей емкости и проводимости для характеризации процессов релаксации заряда в квантовых ямах в светоизлучающих структурах InGaN/GaN

Солтанович О.А. Якимов Е.Б.

Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. 2014. № 2. 142504

  • Статья
Аннотация

Исследованы частотные зависимости емкости и проводимости светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами в широком диапазоне температур и напряжений смещения. Обнаружено, что релаксация заряда в квантовых ямах хорошо описывается с помощью двух эмиссионных процессов с разной зависимостью скорости эмиссии от температуры. Показано, что в типичных светоизлучающих структурах на основе InGaN/GaN одна или несколько квантовых ям могут оставаться заполненными даже при относительно больших напряжениях смещения, приложенных к структуре, и давать вклад в измеряемую емкость. Это позволяет объяснить наблюдаемое на таких структурах влияние температуры и частоты измерений на эффективные профили концентрации, получаемые из вольт-фарадных характеристик.

Поступила: 20 сентября 2013
Статья подписана в печать: 26 мая 2014
PACS:
73.21.Fg Quantum wells
73.61.Ey III-V semiconductors
81.07.St Quantum wells
84.37.+q Measurements in electric variables
Авторы
Солтанович О.А. Якимов Е.Б.
142432, г. Черноголовка Московской области, ул. Акад. Осипьяна 6, Институт проблем технологии микроэлектроники РАН.
Выпуск 2, 2014

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.