Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Теоретическая и математическая физика

Декогеренция осцилляций нейтрино в магнитном поле вследствие расхождения волновых пакетов

Декогеренция осцилляций нейтрино в магнитном поле вследствие расхождения волновых пакетов

А. Р. Попов$^1$, А. И. Студеникин$^2$

Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. 2024. № 2. 2420101

Рассмотрены осцилляции нейтрино в магнитном поле в рамках формализма волновых пакетов. Изучено затухание осцилляций нейтрино в магнитном поле из-за расхождения волновых пакетов нейтрино. Получены выражения для вероятностей осцилляций нейтрино в магнитном поле, учитывающие эффекты декогеренции. Показано, что длины когерентности осцилляций нейтрино на магнитных частотах пропорциональны кубу энергии. Полученные результаты представляют интерес с точки зрения анализа данных нейтринных телескопов IceCube, Baikal-GVD и KM3NeT, а также могут быть применены для описания эффектов осцилляций нейтрино от сверхновых, детектирование которых является одной из целей экспериментов JUNO, Hyper-Kamiokande и DUNE.

Показать Аннотацию
PDF
Физика конденсированного состояния вещества

Исследование структуры и фазового состава пленок Cu-Si, полученных ионно-лучевым распылением

Исследование структуры и фазового состава пленок Cu-Si, полученных ионно-лучевым распылением

Е. С. Керсновский, И. В. Польшин, К. А. Барков, Д. Н. Нестеров, С. А. Ивков, В. А. Терехов, Б. Л. Агапов, А. В. Ситников

Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. 2024. № 2. 2420501

В настоящей работе методами рентгеновской дифракции и ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии проведены исследования структуры, фазового состава и электронного строения пленок Cu-Si с различным содержанием меди (от 15 до 68 вес.%), полученных ионно-лучевым распылением. Обнаружено, что при в пленках Cu-Si низким содержанием меди (~15 вес.%) формируются фазы 𝝲-Cu5Si и аморфного кремния a-Si. Увеличение содержания Cu до до 68 вес.% приводит к формированию фаз 𝞰-Cu3Si и 𝞰’’-Cu3Si, а также частичному окислению меди с образование оксида Cu2O, при этом наблюдаются существенные изменения электронного строения валентной зоны в результате взаимодействия d-электронов меди и s,p-электронов кремния. Увеличение содержания меди в составе пленок Cu-Si от ~15 вес.% до ~68 вес.% сопровождается уменьшением удельного сопротивления от ~1*10-3 до ~3*10-4 Ом*см.

Показать Аннотацию
PDF