Взаимодействие предельно коротких электромагнитных импульсов в силицене
Взаимодействие предельно коротких электромагнитных импульсов в силицене
М.Б. Белоненко$^1$, Н.Н. Конобеева$^2$
В ходе настоящей работы рассмотрена задача о распространении и взаимодействии двух предельно коротких оптических импульсов в силицене. Электроны описывались на основании длинноволнового эффективного гамильтониана в случае низких температур. Выявлена зависимость от скорости и амплитуды предельно короткого импульса.
Показать АннотациюФотонное эхо, формируемое линейкой циклотронных осцилляторов
Фотонное эхо, формируемое линейкой циклотронных осцилляторов
В.Н. Корниенко$^1$, А.П. Привезенцев$^2$, В.А. Черепенин$^1$
Методами вычислительного эксперимента исследовано формирование периодической последовательности импульсов, генерируемой линейкой активных циклотронных осцилляторов при воздействии на нее внешнего короткого электромагнитного импульса.
Показать АннотациюИспользование четырехканального ЖК фокусатора для формирования контурных оптических ловушек
Использование четырехканального ЖК фокусатора для формирования контурных оптических ловушек
А.В. Коробцов, С.П. Котова, Н.Н. Лосевский, А.М. Майорова, С.А. Самагин
Представлены результаты экспериментов по использованию жидкокристаллического перестраиваемого фокусатора для формирования и динамического управления, так называемыми, контурными световыми ловушками, а также для манипулирования с их помощью микрообъектами различной природы.
Показать АннотациюИсследование поведения показателей преломления жидкокристаллического сегнетоэлектрика с субволновым шагом спирали при квадратичном электрооптическом эффекте
Исследование поведения показателей преломления жидкокристаллического сегнетоэлектрика с субволновым шагом спирали при квадратичном электрооптическом эффекте
С.П. Котова$^1$, Е.П. Пожидаев$^2$, С.А. Самагин$^1$
Представлены результаты экспериментального исследования поведения показателей преломления ячейки с сегнетоэлектрическим жидким кристаллом с субволновым шагом спирали с ориентацией оси геликоида вдоль подложек.
Показать АннотациюНелинейные волны в резонаторе из гелеобразной среды с неоднородностями в виде полостей
Нелинейные волны в резонаторе из гелеобразной среды с неоднородностями в виде полостей
Т.Б. Крит, В.Г. Андреев
Измерены амплитуды гармоник стоячих сдвиговых волн в резонаторе, заполненном неоднородной кубично нелинейной средой. Неоднородности приводят к появлению квадратичной нелинейности, отсутствующей в однородной среде. Проведена оценка вклада квадратичной нелинейности в развитие нелинейных эффектов.
Показать АннотациюВлияние высокочастотного электромагнитного излучения на распространение уединенных электромагнитных волн в графеновой сверхрешетке
Влияние высокочастотного электромагнитного излучения на распространение уединенных электромагнитных волн в графеновой сверхрешетке
С.В. Крючков$^{1,2}$, Е.И. Кухарь$^{1}$
Аннотация. Найден квазиэнергетический спектр для графеновой сверхрешетки в условиях высокочастотного электромагнитного излучения. Показано, что при определенных условиях уравнение д’Аламбера принимает вид уравнения double sine–Gordon. Получены решения, соответствующие уединенным электромагнитным волнам. Форма и площадь этих волн зависят от амплитуды высокочастотного поля.
Показать АннотациюИсследование температурной зависимости спектров люминесценции нанокомпозитов с квантовыми точками CdSe
Исследование температурной зависимости спектров люминесценции нанокомпозитов с квантовыми точками CdSe
К.А. Магарян$^1$, М.А. Михайлов$^2$, К.Р. Каримуллин$^{2,3}$, И.А. Васильева$^1$, Г.В. Климушева$^4$
Исследование квантовых точек селенида кадмия легированных в ЖК матрицу каприлата кадмия. Методом конфокальной люминесцентной микроскопии получены спектры люминесценции при T=77–300K. Исследована зависимость спектров от температуры, размера квантовых точек, и неоднородности самих объектов изучения.
Показать АннотациюПеремежаемость в полупроводниковой сверхрешетке, помещенной во внешнюю резонансную систему
Перемежаемость в полупроводниковой сверхрешетке, помещенной во внешнюю резонансную систему
В.В. Макаров$^{1,3}$, А.Е. Храмов$^{1,3}$, А.А. Короновский$^{1,3}$, О.И. Москаленко$^{1,3}$, В.А. Максименко$^{1,3}$, К.Н. Алексеев$^{2}$, А.Г. Баланов$^{2,3}$
В работе исследован переход к хаосу в полупроводниковой сверхрешетке, помещенной во внешнюю добротную резонансную систему. Показано, что при увеличении напряжения питания сверхрешетки переход к хаосу в системе происходит по сценарию перемежаемости типа I, что подтверждено зависимостью средней длительности ламинарных фаз в зависимости от параметра надкритичности и видом отображения Пуанкаре.
Показать АннотациюСвязь между макроскопическими параметрами многослойной сети с микроскопическими характеристиками отдельных элементов, входящих в ее состав
Связь между макроскопическими параметрами многослойной сети с микроскопическими характеристиками отдельных элементов, входящих в ее состав
В.А. Максименко$^{1,2}$, В.В. Макаров$^{1,2}$, А.А. Короновский$^{1,2}$, А.Е. Храмов$^{1,2}$, О.И. Москаленко$^{1,2}$
В работе проведено исследование коллективной динамики элементов многослойной сети на основе ансамбля взаимодействующих фазовых осцилляторов Курамото. Обнаружена связь между макроскопическими характеристиками данной многослойной сети (суммарными сигналами взаимодействующих осцилляторов) и микроскопическими параметрами, характеризующими её топологию и временную динамику отдельных элементов.
Показать АннотациюМодель для исследования пространственно–временной динамики заряда в полупроводниковых сверхрешетках с омическими контактами
Модель для исследования пространственно–временной динамики заряда в полупроводниковых сверхрешетках с омическими контактами
В.А. Максименко$^{1,3}$, А.А. Короновский$^{1,3}$, В.В. Макаров$^3$, О.И. Москаленко$^{1,3}4, К.Н. Алексеев$^2$, А.Г. Баланов$^{2,3}$, А.Е. Храмов$^{1,3}$
Предложена математическая модель для исследования пространственно-временной динамики концентрации носителей заряда на омических контактах полупроводниковой наноструктуры (сверхрешетки). При помощи разработанной модели изучены процессы перехода электронного домена, образовавшегося в полупроводниковой структуре GaAs–AlGaAs, в область коллекторного контакта и рассмотрено влияние параметров контакта на характеристики генерации.
Показать Аннотацию