В настоящей работе неравновесная диаграммная техника Келдыша применяется для подробного описания электронного транспорта через систему локализованных состояний. Особое внимание уделяется предсказательной способности теории, ради чего сокращается количество свободных параметров во вторично квантованном гамильтониане. Развиваемый формализм включает кулоновское взаимодействие и достаточно строго учитывает многоэлектронные эффекты и дискретность энергетических спектров таких структур, как наведённые квантовые точки, системы примесных атомов или зарядовых центров металлорганических каркасных полимеров. Предлагаемый алгоритм расчёта электрических токов и чисел заполнения локализованных состояний реализуется программно и испытывается на модельной системе двух последовательных двухуровневых квантовых точек. Расчётные вольт-амперная характеристика и диаграмма токовой стабильности интуитивно объясняются с помощью наглядных энергетических диаграмм. Модель успешно воспроизводит типичные одноэлектронные эффекты: резонансное туннелирование, отрицательное дифференциальное сопротивление, инверсную заселённость многоуровневой системы, кулоновские корреляции и косвенное проявление эффекта памяти.
85.35.Gv Single electron devices
05.60.Gg Quantum transport
11.10.Wx Finite-temperature field theory
$^1$1. Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Физический факультет, кафедра физики полупроводников и криоэлектроники
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.