Аннотация
В данной работе исследуется изменение электрических характеристик светодиодных структур на основе InGaN/GaN, вызванное протеканием тока большой величины в импульсном режиме. Обнаружено устойчивое переключение между высокопроводящим (резистивным) и низкопроводящим (диодным) состояниями, сопровождающееся сменой механизма токопереноса. В качестве основного механизма переключения рассматривается перемещение подвижных дефектов и образование проводящих нитей (каналов) в области пространственного заряда.
Поступила: 29 мая 2023
Статья подписана в печать: 27 сентября 2023
PACS:
72.80.-r Conductivity of specific materials
English citation: Modeling of change of resistive states in LED structures based on InGaN/GaN
V. A. Ribenek, L. N. Vostretsova
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
В. А. Рибенек, Л. Н. Вострецова
$^1$Ульяновский государственный университет
$^1$Ульяновский государственный университет
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.