В настоящей работе описывается подход к анализу устойчивости режима транспорта заряда в полупроводниковой сверхрешетке, основанный на рассмотрении динамики набора малых возмущений неоднородного в пространстве распределения напряженности электрического поля. Обнаружено, что обращение в ноль действительной части коэффициента, характеризующего распространение рассматриваемого возмущения, свидетельствует о развитии пространственно-временной неустойчивости. При этом, значение мнимой части, определяющее частоту колебаний данного возмущения, в момент развития неустойчивости соответствует частоте колебаний напряжения в системе. Применение предложенной методики позволяет учесть свойства инжектирующего контакта на устойчивость стационарного распределения напряженности электрического поля. Обнаружено, что уменьшение дифференциальной проводимости контакта позволяет при определенных значениях приложенного напряжения стабилизировать распределение поля в системе.
72.20.Ht High-field and nonlinear effects
$^1$НОЦ «Нелинейная динамика сложных систем», Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.\
$^2$Department of Physics, Loughborough University\
$^3$Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г.Чернышевскогo
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.