Влияние гибридизации электронных состояний на высокочастотную проводимость неупорядоченных полупроводников

В рамках парного приближения исследовано влияние гибридизации электронных состояний на высокочастотную проводимость неупорядоченных полупроводников, связанное со степенной зависимостью предэкспоненциальных множителей резонансного интеграла $I_{\lambda, \lambda'}$ и интеграла неортогональности $s_{\lambda, \lambda'}$ от межцентрового расстояния $r_{\lambda, \lambda'}$ в паре. Показано, что при $r_{\lambda, \lambda'} < N_{d}^{−1/3}$ ($N_d$ — концентрация примесных центров) в области перехода от почти линейной к квадратичной частотной зависимости проводимости гибридизация электронных состояний резонансных пар центров играет существенную роль.