В статье рассматривается эффект резистивных переключений для полимерных материалов из полистирола с содержанием металлических частиц Al, Zn с концентрацией близкой к порогу перколяции. Реализованы стабильные – до 106, быстрые – менее 10 нс переключения. Критические напряжения, при которых происходит переключение из непроводящего состояния в проводящее при расстоянии между контактами менее 1 мм, не превышают 10В, что даёт возможность изготавливать устройства памяти при возможном дальнейшём масштабировании устройств.
Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики и физики конденсированного состояния. Россия,119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2.
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.