Исследование структуры и фазового состава пленок Cu-Si, полученных ионно-лучевым распылением

В настоящей работе методами рентгеновской дифракции и ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии проведены исследования структуры, фазового состава и электронного строения пленок Cu-Si с различным содержанием меди (от 15 до 68 вес.%), полученных ионно-лучевым распылением. Обнаружено, что при в пленках Cu-Si низким содержанием меди (~15 вес.%) формируются фазы 𝝲-Cu5Si и аморфного кремния a-Si. Увеличение содержания Cu до до 68 вес.% приводит к формированию фаз 𝞰-Cu3Si и 𝞰’’-Cu3Si, а также частичному окислению меди с образование оксида Cu2O, при этом наблюдаются существенные изменения электронного строения валентной зоны в результате взаимодействия d-электронов меди и s,p-электронов кремния. Увеличение содержания меди в составе пленок Cu-Si от ~15 вес.% до ~68 вес.% сопровождается уменьшением удельного сопротивления от ~1*10-3 до ~3*10-4 Ом*см.