Фотоэлектрические свойства композитов из нановолокон на основе оксида кобальта с цинком

В работе исследованы фотоэлектрические свойства композитов Co3O4/Zn с различным содержанием атомов цинка в диапазоне от 0 до 33 мольных процента по катиону (моль%). Композиты были получены методом электроспиннинга и состояли из нановолокон диаметром 150-200 нм, имеющих нанокристаллическую структуру. Продемонстрирована возможность увеличения темновой проводимости и фотопроводимости композитов Co3O4/Zn при добавлении атомов цинка в структуру. Обнаружено, что кинетики нарастания и спада фотопроводимости при освещении образцов ультрафиолетовым излучением могут быть аппроксимированы суммой двух экспонент. Аппроксимация такого рода указывает на существование двух различных процессов, определяющих рекомбинацию неравновесных носителей заряда в материале. Показано, что один из этих процессов может быть связан с адсорбцией и десорбцией молекул на поверхности нановолокон. Возможность проведения адсорбции и десорбции за счет освещения композитов Co3O4/Zn делает их перспективными для использования в газовых сенсорах.