Электронные и диэлектрические характеристики гидратов sI, sH и льдов Ih, III: результаты ab initio исследований

Методом ab initio моделирования для решеток льдов Ih, III, и решеток гидратов sI, sH получены плотности электронных состояний, рассчитаны электронные εel и ионные εion вклады в статический диэлектрический тензор. Льды Ih, III и гидрат sH демонстрируют выделенную ось диэлектрического тензора εel, а гидрат sI демонстрирует изотропию εel. Включение Xe и CH4 в гидрат sI стабилизирует решетку и повышает значения диэлектрических тензоров εel и εion, вследствие увеличения поляризуемости. Исследование диэлектрических функций ε'(ω) и ε"(ω) показывает наличие активного поглощения при энергиях излучения 5 ÷ 20 эВ, и оптической щели шириной EOG ≈ 5 эВ.