Распыление полупроводников ионами высоких энергий

В данной статье рассматривается такое явление, как распыление: его применение, история и свойства. Неотъемлемой частью которого является основная теория Зигмунда, которая на данный момент считается основной в области распыления, так как она учитывает наибольшее количество нюансов ионного распыления. Она гласит, что коэффициент ионного распыления Y пропорционален косинусу угла распыления Θ в степени n, который в свою очередь зависит от массы и заряда. То есть еоретически он должен возрастать с увеличением энергии налетающих частиц. При проверке этого утверждения при энергиях порядка 10 кэВ, теория выполнялась, однако эксперименты, проведенные при более высоких энергиях (80, 200, 250 и 300 кэВ) продемонстрировали, что это не так, и в области 200 - 250 кэВ имеется значительный провал значения этого коэффициента.