О локальном определении скоростей рекомбинации неравновесных носителей заряда в объеме и на тыльной стороне пластин кремни с p-n переходами бесконтактным методом

Рассмотрен бесконтактный метод определения рекомбинационных параметров ло-кальных участков p(n) слоя кремниевых структур n+-p(n)-p+ типа. Метод основан на локаль-ном освещении исследуемой структуры двумя различно поглощаемыми лучами света. Оба луча освещают одновременно сначала одну сторону локальной области этой структуры, а затем противоположную. Интенсивности лучей света модулируются так, что суммарная пе-ременная фотоэдс обращается в 0. При этих условиях измеряют отношения амплитуд моду-ляций интенсивностей лучей. На основании таких величин нами были вычислены номограммы для раздельного определения времени жизни неравновесных носителей заряда в освещаемой части p(n) области и скорости их поверхностной рекомбинации на тыльной стороне. Номограммы вычислялись для длин волн 1064 и 808 нм при толщинах p(n) слоя 0.4 и 0.2 мм