Аннотация
В настоящей работе предлагается использование полупроводниковой сендвичной гетероструктуры для улучшения характеристик доменной генерации. В результате численного исследования коллективной динамики заряда в данной структуре продемонстрирована возможность одновременного увеличения частоты и мощности токовых колебаний, вызванных режимом доменного транспорта, за счет синхронизации динамики доменов в разных участках исследуемого полупроводниковой образца.
PACS:
73.21.-b Electron states and collective excitations in multilayers, quantum wells, mesoscopic, and nanoscale systems
English citation: Use of the semiconductor sandwich heterostructure for the enhancement of the sub–THz generation properties
V.A. Maksimenko, V. V. Makarov, A. A. Koronovskii, A. E. Hramov, K.N. Alekseev, A. G. Balanov
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
В.А. Максименко$^1$, В. В. Макаров$^1$, А.А Короновский$^2$, А. Е. Храмов$^1$, К.Н. Алексеев$^3$, А. Г. Баланов$^3$
$^1$Саратовский Государственный Технический Университет имени Гагарина Ю.А., НОЦ «Нелинейная динамика сложных систем» Россия,410054, Саратов, Политехническая, д. 77
$^2$Саратовский Государственный Университет имени Н. Г.Чернышевского Россия, 410012, Саратов, Астраханская, д. 83
$^3$Loughborough University, Department of Physics, Loughborough, LE11 3TU, UK
$^1$Саратовский Государственный Технический Университет имени Гагарина Ю.А., НОЦ «Нелинейная динамика сложных систем» Россия,410054, Саратов, Политехническая, д. 77
$^2$Саратовский Государственный Университет имени Н. Г.Чернышевского Россия, 410012, Саратов, Астраханская, д. 83
$^3$Loughborough University, Department of Physics, Loughborough, LE11 3TU, UK