Аннотация
В данной работе приводятся результаты теоретического расчета граничной частоты fc усиления волн пространственного заряда в тонкопленочных структурах на основе n-GaAs и n-InN. Показано, что fc для нитрида индия составляет величину порядка 200 ГГц, а для арсенида галлия 55 ГГц.
Поступила: 29 мая 2015
Статья подписана в печать: 20 января 2016
PACS:
71.45.Lr Charge-density-wave systems
72.20.Ht High-field and nonlinear effects
72.20.Ht High-field and nonlinear effects
English citation: Cutoff frequency of space-charge waves amplification in thin-film n-InN semiconductor structures
S.A. Sergeev, O.S. Senatov, B.V. Sergeeva
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
С.А. Сергеев, О.С. Сенатов, Б.В. Сергеева
Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского. ул. Астраханская 83, 410012, г. Саратов
Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского. ул. Астраханская 83, 410012, г. Саратов
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.