Аннотация
Экспериментально изучены мощные полупроводниковые лазеры на основе гетероструктуры AlGaAs/InGaAsP/InGaAs с квантовой ямой и асимметричным расширенным волноводом. Предложена физическая модель, объясняющая изменение их излучательных характеристик с течением времени наработки.
PACS:
42.55.Px Semiconductor lasers; laser diodes
42.65.Jx Beam trapping, self-focusing and defocusing; self-phase modulation
42.65.Wi Nonlinear waveguides
42.65.Jx Beam trapping, self-focusing and defocusing; self-phase modulation
42.65.Wi Nonlinear waveguides
English citation: Degradation of powerful injection lasers based AlGaAs/InGaAsP/InGaAs quantum well
heterostructure asymmetric waveguide
O.I. Koval, E.D. Kudrjavtzeva, A.G. Rzhanov, G.A. Solovyev
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
О. И. Коваль$^1$, Е. Д. Кудрявцева$^1$, А. Г. Ржанов$^2$, Г. А. Соловьёв$^1$
$^1$Национальный исследовательский университет МЭИ, кафедра физики имени В.А. Фабриканта. Россия, 111250, Москва, Красноказарменная ул., д. 14
$^2$Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, физический факультет, кафедра физики колебаний Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
$^1$Национальный исследовательский университет МЭИ, кафедра физики имени В.А. Фабриканта. Россия, 111250, Москва, Красноказарменная ул., д. 14
$^2$Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, физический факультет, кафедра физики колебаний Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.