Аннотация
В работе сообщается о наблюдении эффекта само–организованного структурирования поверхности кремниевых пластин в специфических условиях отжигов. Данный эффект может быть использован для создания новых безмасочных способов формирования структурированных кремниевых подложек, перспективных для использования в технологии светодиодов на основе нитрида галлия и его твердых растворов.
Поступила: 5 сентября 2013
Статья подписана в печать: 26 мая 2014
PACS:
81.05.Ea III-V semiconductors
81.15.Kk Vapor phase epitaxy; growth from vapor phase
81.05.Cy Elemental semiconductors
81.15.Kk Vapor phase epitaxy; growth from vapor phase
81.05.Cy Elemental semiconductors
English citation: Maskless structuring of the surface of silicon substrates for nitride epitaxy
M.G. Mynbaeva, S.P. Lebedev, A.A. Lavrent'ev, K.D. Mynbaev, V.I. Nikolaev
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
М.Г. Мынбаева, С.П. Лебедев, А.А. Лаврентьев, К.Д. Мынбаев, В.И. Николаев
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико–технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. Россия, 194021, Санкт–Петербург, Политехническая ул., д. 26
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико–технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. Россия, 194021, Санкт–Петербург, Политехническая ул., д. 26
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.