Аннотация
Результаты проведенных исследований показали, что метод хлоридно-гидридной эпитаксии позволяет создать излучающие гетероструктуры высокого качества. Характеристики таких излучателей сопоставимы с параметрами структур, выращенными методом газофазной эпитаксии из металло-органических соединений. При рабочем токе 20 мА температура их активной области tj составляла 43oC, выходная оптическая мощность и КПД – 1.14 мВт и 1.46%, соответственно. Ультрафиолетовые светодиоды работоспособны в непрерывном режиме возбуждения вплоть до значения прямого тока 135 мА.
Поступила: 20 сентября 2013
Статья подписана в печать: 17 июня 2014
PACS:
85.60.Jb Light-emitting devices
81.05.Ea III-V semiconductors
81.05.Ea III-V semiconductors
English citation: Study of performance ultraviolet light-emitting diodes based onGaN/AlGaN heterostructures grown by chloride-hydride epitaxy
Menkovich E. A., Tarasov S. A., Kurin S. Yu.
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Менькович Е.А., Тарасов С.А., Курин С.Ю.
197376, Россия, Санкт-Петербург, улица Профессора Попова, дом 5
197376, Россия, Санкт-Петербург, улица Профессора Попова, дом 5