Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Ультрафиолетовые светодиоды на основе гетероструктур GaN/AlGaN выращенные методом хлоридно-гидридной эпитаксии: исследование рабочих характеристик

Менькович Е.А., Тарасов С.А., Курин С.Ю.

Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. 2014. № 2. 142405

  • Статья
Аннотация

Результаты проведенных исследований показали, что метод хлоридно-гидридной эпитаксии позволяет создать излучающие гетероструктуры высокого качества. Характеристики таких излучателей сопоставимы с параметрами структур, выращенными методом газофазной эпитаксии из металло-органических соединений. При рабочем токе 20 мА температура их активной области tj составляла 43oC, выходная оптическая мощность и КПД – 1.14 мВт и 1.46%, соответственно. Ультрафиолетовые светодиоды работоспособны в непрерывном режиме возбуждения вплоть до значения прямого тока 135 мА.

Поступила: 20 сентября 2013
Статья подписана в печать: 17 июня 2014
PACS:
85.60.Jb Light-emitting devices
81.05.Ea III-V semiconductors
Авторы
Менькович Е.А., Тарасов С.А., Курин С.Ю.
197376, Россия, Санкт-Петербург, улица Профессора Попова, дом 5
Выпуск 2, 2014

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.