Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Нанотемплеты Si/SiO2/III-нитриды

Ляхова Н.Н., Осинский В.И., Глотов В.И., Суховий Н.О., Литвин О.С., Деминский П.В.

Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. 2014. № 2. 142304

  • Статья
Аннотация

Разработана технология получения нанотемплетов «SiO2 – слой инициации Al2O3 – III-нитрид» на подложках кремния для неполярных гетероструктур III-нитридов методом газофазного осаждения с использованием металлорганических соединений в процессе формирования GaN/InGaN квантовых ям, обеспечивающая формирование массивов GaN-InGaN наноточек и наноколец на GaN наностержнях. При этом обеспечивается низкая плотность дислокаций, ~3×106 см-2 , увеличение интенсивности фотолюминесценции на порядок по сравнению с плоскими образцами и возможность получения большей концентрации индия в твердом растворе InGaN

Поступила: 24 сентября 2013
Статья подписана в печать: 17 июня 2014
PACS:
78.67.De Quantum wells
61.46.Df Structure of nanocrystals and nanoparticles
English citation: Si/SiO2/III-nitride nanotemplаtes
Osinsky V.I., Lyahova N.N. Hlotov1 V.I. Suhovyy N.O. Lytvyn O.S. Deminskyi P.V.
Авторы
Ляхова Н.Н., Осинский В.И., Глотов В.И., Суховий Н.О., Литвин О.С., Деминский П.В.
Институт Микроприборов НАН Украины, Северо-Сырецкая 3, 04136, г. Киев
Выпуск 2, 2014

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.