Разработана технология получения нанотемплетов «SiO2 – слой инициации Al2O3 – III-нитрид» на подложках кремния для неполярных гетероструктур III-нитридов методом газофазного осаждения с использованием металлорганических соединений в процессе формирования GaN/InGaN квантовых ям, обеспечивающая формирование массивов GaN-InGaN наноточек и наноколец на GaN наностержнях. При этом обеспечивается низкая плотность дислокаций, ~3×106 см-2 , увеличение интенсивности фотолюминесценции на порядок по сравнению с плоскими образцами и возможность получения большей концентрации индия в твердом растворе InGaN
61.46.Df Structure of nanocrystals and nanoparticles
Институт Микроприборов НАН Украины, Северо-Сырецкая 3, 04136, г. Киев
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.