Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Закономерности и особенности токовых зависимостей теплового сопротивления переход-корпус мощных InGaN/GaN светодиодов

Сергеев В.А., Смирнов В.И., Фролов И.В., Ходаков А.М.

Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. 2014. № 2. 142303

  • Статья
Аннотация

На основе измерения тепловых характеристик 30 образцов произведенных фирмой Cree мощных InGaN/GaN светоизлучающих диодов (СИД) в диапазоне рабочего тока 50 ... 550 мА показано, что для всех светодиодов тепловое сопротивление переход-корпус возрастает с увеличением рабочего тока. Установлено, что крутизна зависимо-сти от тока значительно уменьшается для токов более чем 300 мА. Рассчитаны выборочные средние значения параметров токовых зависимостей . Полученные результаты подтверждают адекватность ранних предлагаемых нелинейных тепловых моделей мощного СИД и могут быть использованы для оценки неоднородности рас-пределения температуры и плотности тока по структуре светодиода.

Поступила: 19 сентября 2013
Статья подписана в печать: 6 мая 2014
PACS:
81.05.Ea III-V semiconductors
Авторы
Сергеев В.А., Смирнов В.И., Фролов И.В., Ходаков А.М.
Россия, 432071, Ульяновск, Гончарова, д. 48/2
Выпуск 2, 2014

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.