Плазменные волны в двухслойном графене
Плазменные волны в двухслойном графене
П.В. Бадикова, С.Ю. Глазов
Получено выражение для продольной части диэлектрической проницаемости невырожденного электронного газа двухслойного графена. В расчетах использовано низкоэнергетическое приближение для спектра электронов. Найден закон дисперсии и декремент затухания плазменных волн в двуслойном графене.
Показать АннотациюПлазмонный сенсор оптической активности вещества
Плазмонный сенсор оптической активности вещества
Д.О. Игнатьева
Предложен метод измерения оптической активности вещества, основанный на детектировании изменений собственной поляризации поверхностных плазмон–поляритонов в зависимости от величины оптической активности у исследуемой среды.
Показать АннотациюПоверхностные плазмон–поляритоны в гибридных структурах, содержащих топологические изоляторы с аксионным эффектом
Поверхностные плазмон–поляритоны в гибридных структурах, содержащих топологические изоляторы с аксионным эффектом
Д.О. Игнатьева$^{1,2}$, А.Н. Калиш$^{1,2}$, А. К. Звездин$^{3}$, В.И. Белотелов$^{1,2}$
Исследованы свойства поверхностных плазмон–поляритонов, возбуждаемых в двух- и трехслойных структурах, содержащих топологические изоляторы с аксионным эффектом. Обнаружено изменение поляризации плазмонов в таких структурах и выявлены условиях усиления поляризационных эффектов.
Показать АннотациюУстройства фотоники с когерентным взаимодействием излучения со средой
Устройства фотоники с когерентным взаимодействием излучения со средой
Р.М. Архипов$^{1,2}$, М.В. Архипов$^{2}$, И. Бабушкин$^{3,4}$, Н.Н. Розанов$^{1,5}$
В работе рассматриваются примеры и теоретически анализируются устройства нелинейной фотоники, основанные на когерентном взаимодействии света с веществом. К ним относятся, например, лазеры, генерирующие предельно–короткие световые импульсы в режиме т. н. когерентной синхронизации мод, сверхбыстрый оптический дефлектор лазерного излучения, генератор униполярных импульсов. Такие устройства имеют ряд преимуществ по сравнению со стандартными устройствами, оперирующими в условиях, когда взаимодействие света с веществом некогерентное.
Показать АннотациюАнализ диаграммы направленности излучения диодного лазера по экспериментальным данным
Анализ диаграммы направленности излучения диодного лазера по экспериментальным данным
В.В. Близнюк$^1$, Н. В. Березовская$^1$, М.А. Брит$^1$, О.И. Коваль$^1$, В.А. Паршин$^1$, А. Г. Ржанов$^2$,
Показана возможность количественного анализа диаграммы направленности излучения диодного лазера без проведения трудоёмких и дорогостоящих измерений распределения его интенсивности в ближней зоне.
Показать АннотациюИзмерения характеристик излучения мощных лазерных диодов для анализа их деградационных свойств
Измерения характеристик излучения мощных лазерных диодов для анализа их деградационных свойств
В.В. Близнюк$^1$, Н. В. Березовская$^1$, М.А. Брит$^1$, О.И. Коваль$^1$, В.А. Паршин$^1$, А. Г. Ржанов$^2$
Измерены диаграммы направленности и степени поляризации излучения мощных лазерных диодов в надпороговом режиме генерации. Исследованы временные зависимости мощности и степени поляризации излучения. Рассматривается возможность прогнозирования срока службы ЛД на основе InGaAs/GaAs–гетероструктуры с непрерывной мощностью до 2 Вт путем предварительных измерений пространственно-энергетических и поляризационных характеристик их излучения.
Показать АннотациюМетод анализа диаграммы направленности лазерного диода, излучающего на фундаментальной моде
Метод анализа диаграммы направленности лазерного диода, излучающего на фундаментальной моде
В.В. Близнюк$^1$, Н. В. Березовская$^1$, М.А. Брит$^1$, О.И. Коваль$^1$, В.А. Паршин$^1$, А. Г. Ржанов$^2$
Рассмотрен метод определения режима генерации лазерного диода на фундаментальной моде по измерениям дальнего поля. Обсуждается реализация метода при измерениях угла расходимости излучения в дальней зоне в двух плоскостях с использованием координат характерных точек гауссовой функции.
Показать АннотациюПоведение двумерных предельно коротких оптических импульсов в присутствии постоянного магнитного поля
Поведение двумерных предельно коротких оптических импульсов в присутствии постоянного магнитного поля
Е. Н. Галкина$^{1,2}$, М.Б. Белоненко$^{2,3}$
Проанализированы и представлены особенности поведения двумерных предельно коротких оптических импульсов, распространяющихся в массиве углеродных нанотрубок в присутствии внешнего постоянного магнитного поля, приложенного перпендикулярно оси нанотрубок.
Показать АннотациюТрехмерная негармоническая модель формирования неоднородных голографических дифракционных структур в фотополимерно–жидкокристаллических композициях
Трехмерная негармоническая модель формирования неоднородных голографических дифракционных структур в фотополимерно–жидкокристаллических композициях
А. О. Семкин, С.Н. Шарангович
В работе приведена трехмерная теоретическая модель записи голографических дифракционных структур в фотополимерно–жидкокристаллических композициях. Разработанная модель учитывает анизотропию оптических свойств материала, амплитудно-фазовую неоднородность профиля формируемой структуры, а также нелинейность процесса записи. По результатам численного моделирования показана сложная пространственно-временная зависимость амплитудных профилей высших пространственных гармоник показателя преломления материала.
Показать АннотациюПироэлектрическое формирование планарных волноводных структур в ниобате лития лазерным излучением с длиной волны 532 нм
Пироэлектрическое формирование планарных волноводных структур в ниобате лития лазерным излучением с длиной волны 532 нм
А. С. Перин, В.Ю. Рябчёнок, Е.А. Дмитриев, В.А. Крадько, С. Б. Козлов, Е.А. Березина, В. М. Шандаров
Экспериментально продемонстрировано формирование одномерных одиночных планарных волноводов и пар таких волноводов в объеме нелегированного ниобата лития. Волноводные структуры с размером каналов 22 мкм сформированы светлыми пространственными солитонами, полученными при компенсации дифракционной расходимости световых пучков в кристалле за счет вклада пироэлектрического эффекта в нелинейный отклик среды. Длина волны света составляла 532 нм, световая мощность изменялась от 0.5мВт до 1мВт. Полная компенсация дифракционной расходимости достигалась при однородном нагреве кристаллического образца до температуры 75 ◦C.
Показать Аннотацию