Структурная релаксация центров окраски в аморфном диоксиде кремния

Для использования электронных и оптических приборов в условиях повышенного ионизационного облучения требуется изучение дефектов, возникающих в компонентах приборов. Одним из наиболее распространенных компонентов является диоксид кремния (SiO$_{2}$), причем как в кристаллическом, так и аморфным виде. Наиболее распространённым дефектом, индуцированным мощным ионизационным излучением, является центр E’. В настоящей работе исследуется одна из существующих моделей структуры центра E’ с помощью электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) на различных образцах аморфного диоксида кремния. Результаты свидетельствуют о наличии двух стабильных состояний дефектов при высоких и малых дозах ионизационного облучения. Экспериментальные результаты не позволяют полностью объяснить теоретические расчеты приведённые ученными ранее, однако на основе их можно предположить особенности структуры дефектов и сформировать направление для дальнейшего исследования, а также возможные варианты внесения изменений в технологию производства оптического волокна для ослабления влияния данного дефекта.