Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Исследование зависимости электрических свойств кремниевых нанонитей от проводимости кремниевой пластины

Д. М. Русаков$^1$, Д. В. Гусев$^1$, К. А. Гончар$^{1,2}$, А. С. Воронцов$^1$, А. С. Ильин$^1$

Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. 2025. № 1. 2510502

  • Статья
Аннотация

В последние годы кремниевые нанонити (КНН) привлекают значительное внимание исследователей благодаря своим уникальным электрическим и оптическим свойствам, которые делают их перспективными для применения в различных областях, включая наноэлектронику и сенсоры. Настоящая работа представляет собой углубленное и систематическое исследование КНН, синтезированных из кристаллических пластин с сопротивлениями 10–20 Ом·см и 1–5 мОм·см, с целью детального анализа их электрических свойств. Основное внимание уделяется вольт-амперным характеристикам (ВАХ), частотной зависимости проводимости и исследованию импеданса. Эти методы позволяют выявить ключевые аспекты, определяющие поведение наноструктур, и установить взаимосвязь между характеристиками кристаллической пластины и электрофизическими свойствами материала. Полученные результаты показывают значительные изменения в поведении проводимости при снижении сопротивления кристаллической пластины, что может свидетельствовать об улучшении электрофизических характеристик КНН. Вольт-амперные характеристики образца с сопротивлением 1–5 мОм·см для обеих конфигураций (планарной и сэндвич), а также сэндвич конфигурация образца с сопротивлением 10–20 Ом·см демонстрируют отчетливое диодоподобное поведение, что можно объяснить формированием потенциальных барьеров на границе между слоями. Механизм прыжковой проводимости оказывается доминирующим для всех образцов.

Поступила: 6 ноября 2024
Статья подписана в печать: 20 марта 2025
PACS:
73.63.Bd Nanocrystalline materials
English citation: Study of the Dependence of Electrical Properties of SiNWs on the Conductivity of a Silicon Wafer
D. M. Rusakov, D. V. Gusev, K. A. Gonchar, A. S. Vorontsov, A. S. Ilin
Авторы
Д. М. Русаков$^1$, Д. В. Гусев$^1$, К. А. Гончар$^{1,2}$, А. С. Воронцов$^1$, А. С. Ильин$^1$
$^1$undefined\
$^2$Институт биологического приборостроения РАН
Выпуск 1, 2025

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.