В работе представлены экспериментальные угловые зависимости морфологии поверхности, элементного состава приповерхностного слоя и коэффициента распыления фосфида индия при облучении образца InP ФИП ионов Ga+ с энергией 30 кэВ. Анализ поверхности проводился методами растровой электронной микроскопии и вторично-ионной масс-спектрометрии. Коэффициенты распыления определялись по измерениям объема распыленных кратеров. Экспериментальные результаты сравниваются с данными математического моделирования в программе TRIDYN. Обсуждается влияние выбора матрицы поверхностных энергий связи на результаты моделирования.
$^1$Ярославский государтвенный университет имени П.Г. Демидова
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.