Исследование механизмов магнетосопротивления топологического изолятора Bi$_{1.1-x}$Sn$_x$Sb$_{0.9}$Te$_2$S

Исследованы механизмы, определяющие магнетосопротивление топологических изоляторов Bi$_{1.1-x}$Sn$_x$Sb$_{0.9}$Te$_2$S (x = 0.02 и 0.04). Исследованные кристаллы обладают низ-кой объемной проводимостью, что облегчает изучение процессов рассеяния на поверхности. По данным измерений сопротивления четырехконтактным методом на постоянном токе в низких магнитных полях (до 600 Э) был обнаружен квантовый интерференционный вклад в проводимость, соответствующий случаю слабой антилокализации. Сделана оценка длины фазовой когерентности 𝑙𝜑 и определена ее зависимость от температуры. Было обнаружено, что при наличии внешнего магнитного поля (H > 1 кЭ) возникает активационная щель в энергетическом спектре поверхностных носителей тока в Bi$_{1.1-x}$Sn$_x$Sb$_{0.9}$Te$_2$S (x = 0.02 и 0.04). Анализ температурной и полевой зависимости сопротивле-ния R(T, H) позволил получить величину активационной щели и ее зависимость от кон-центрации олова и приложенного магнитного поля: 𝛥 порядка 2 мэВ Bi$_{1.06}$Sn$_{0.04}$Sb$_{0.9}$Te$_2$S и 60 мкэВ для Bi$_{1.08}$Sn$_{0.02}$Sb$_{0.9}$Te$_2$S при H = 5 кЭ.