Определение амплитудного дефекта для измерения энергии тяжелых ионов полупроводниковыми детекторами

Определен амплитудный дефект полупроводникового стрипового детектора КДПС-1К в зависимости от массы и энергии регистрируемых тяжелых ионов. Произведены энергетические калибровки детектора с использованием источника α-частиц 226Ra, а также проведены калибровочные измерения на ускорителе ИЦ-100 в Лаборатории ядерных реакций Объединенного института ядерных исследований на пучках ионов 20Ne, 40Ar, 86Kr, 132Xe. Проведены исследования по измерению эффективной толщины «мертвого слоя» полупроводникового детектора и внесена поправка на потери энергии в этом слое. Представлено выражение для оценки поправки на амплитудный дефект при измерении энергии продуктов реакции в области энергий от 20 до 100 МэВ и масс от 20 до 132 а.е.м.