Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Взаимодействие полупроводниковых гетероструктур, связанных через внешний резонансный контур

В.В. Макаров$^1$, В.А. Максименко$^1$, А.А Короновский$^2$, А.Г. Баланов$^3$, А.Е. Храмов$^1$

Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. 2016. № 6. 166904

  • Статья
Аннотация

В настоящей работе исследовано взаимодействие полупроводниковых сверхрешеток, находящихся в режиме нестационарного доменного транспорта и связанных посредством добротного резонансного контура. Обнаружено, что подключение второй сверхрешетки существенно влияет на амплитудно-частотные характеристики системы, определены области хаотической генерации.

PACS:
73.21.-b Electron states and collective excitations in multilayers, quantum wells, mesoscopic, and nanoscale systems
72.20.Ht High-field and nonlinear effects
English citation: Interaction of semiconductor heterostructures connected via an external resonant circuit
V.V. Makarov, V.A. Maksimenko, A. A. Koronovskii, A.G. Balanov, A.E. Hramov
Авторы
В.В. Макаров$^1$, В.А. Максименко$^1$, А.А Короновский$^2$, А.Г. Баланов$^3$, А.Е. Храмов$^1$
$^1$Саратовский Государственный Технический Университет имени Гагарина Ю.А., НОЦ «Нелинейная динамика сложных систем» Россия,410054, Саратов, Политехническая, д. 77
$^2$Саратовский Государственный Университет имени Н. Г.Чернышевского Россия, 410012, Саратов, Астраханская, д. 83
$^3$Loughborough University, Department of Physics, Loughborough, LE11 3TU, UK
Выпуск 6, 2016

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.