Детектирование поверхностных электронных состояний в топологических изоляторах (Bi$_{1−x}$In$_x$)2Se$_3$ с помощью лазерного терагерцового излучения

На примере твердых растворов (Bi$_{1−x}$In$_x$)2Se$_3$ в диапазоне составов, соответствующих как топологической (x < 0.05), так и тривиальной (x > 0.06) фазе продемонстрировано, что использование комбинированного воздействия терагерцового лазерного излучения и магнитного поля может оказаться эффективным методом детектирования поверхностных состояний в топологических изоляторах. Обнаружено, что в топологической фазе амплитуда фотоэлектромагнитного эффекта определяется числом падающих квантов, тогда как в тривиальном полупроводнике — мощностью падающего излучения.