Аннотация
Исследованы спектры электролюминесценции (ЭЛ) светодиодов (СД) повышенной мощности ультрафиолетового (УФ) и фиолетового спектрального диапазона [1, 2], сконструированные из кристаллов на основе p-n гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN. Для измерений спектров ЭЛ была автоматизирована установка на основе монохроматора МДР–12, и разработана компьютер- ная программа, позволяющая быстро измерять спектральные и электрические свойства. Проведен анализ вольтамперных характеристик (ВАХ), мощности излучения и СД.
PACS:
42.72.Bj Visible and ultraviolet sources
English citation: Luminescent and electrical properties of ultraviolet and violet light-emitting diodes based on gallium nitride based heterostructures
L.P. Avakyants, A.E. Aslanyan, P. Yu. Bokov, V. V. Volkov, I. S. Mateshev, A.N. Turkin, A.E. Yunovich
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Л. П. Авакянц^1, А. Э. Асланян^1, П.Ю. Боков^1, В. В. Волков^2,
И. С. Матешев^3, А.Н. Туркин^3, А. В. Червяков^1, А. Э. Юнович^2
Московский государственный университет имени М. В.Ломоносова, физический факультет
^1кафедра общей физики,
^2кафедра полупроводников,
^3кафедра оптики, спектроскопии и физики наносистем Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М. В.Ломоносова, физический факультет
^1кафедра общей физики,
^2кафедра полупроводников,
^3кафедра оптики, спектроскопии и физики наносистем Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2