Солнечнослепые и видимослепые фотодетекторы на основе AlGaN

Твердый раствор AlGaN с максимальной энергией ширины запрещенной зоны 6,1 эВ позволяет изготавливать ультрафиолетовые (УФ) оптоэлектронные устройства, работающие в широком УФ-А, B, C спектральном диапазоне с минимальной длиной волны 210 нм. Тем не менее, изготовление низкоомных омических контактов к AlxGa1-хN с высоким содержанием Al (x > 0.5) является трудной и актуальной задачей. Наилучшие результаты по созданию фотодиодов на основе AlGaN получены с использованием Au (15 нм) в качестве барьера и Ti/Al (15/35nm) омического контактов. С увеличением содержания Al в твердом растворе наблюдался сдвиг в коротковолновую область к глубокому УФ (солнечнослепой) диапазону с минимальной длиной волны красной границы 250 нм, которая наблюдалась в структурах с содержанием алюминия выше, чем х = 0.6.