Предложена модель 1D – диссипативного туннелирования для интерпретации особенностей туннельных ВАХ, полученных в эксперименте по визуализации локальной плотности состояний в квантовых точках InAs/GaAs методом комбинированной АСМ/ СТМ. Найдено, что влияние двух локальных мод широкозонной матрицы на вероятность 1D – диссипативного туннелирования приводит к появлению нескольких неэквидистантных пиков в соответствующей полевой зависимости. Показано, что теоретическая зависимость качественно согласуется с экспериментальной ВАХ контакта АСМ зонда к поверхности InAs КТ.
73.00.00 Electronic structure and electrical properties of surfaces, interfaces, thin films, and low-dimensional structures
73.22.-f Electronic structure of nanoscale materials and related systems
73.21.La Quantum dots
Пензенский государственный университет,440026, Пенза, ул. Красная, д.40, г.Пенза , Россия
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.